삼성전자는 5일 3대 기술 혁신을 통해 반도체 미세화 한계를 극복한 '10나노급 D램'양산소식을 밝혔다.

삼성전자가 양산한 '10나노급 D램'은 기존의 '20나노 D램'보다 30% 이상 빠르면서도 소비전력은 약 20% 절감할 수 있다.

이번 제품에는 ▲초고집적 설계 기술 ▲사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique) ▲초균일 유전막 형성 기술 등 3가지 혁신 기술이 적용됐다.

삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장 이외에 초고해상도 스마트폰 시장까지 선점한다는 전략이다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것"이라며 "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

(데일리팝=정단비 기자)